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量测 芯片制造 KLA

发布时间:2019-09-03 19:52 作者:和记娱乐

  KLA 的量测系统满足了一系列芯片和基片晶圆制造应用所需,包括设计可制造性验证、新工艺表征以及批量制造工艺的监控。通过精确测量图案尺寸、薄膜厚度、层间对齐、图案位置、表面形貌和电光特性,我们全面的量测系统帮助芯片制造商严格控制其工艺,从而提高器件性能和良率。

  Archer™600套刻量测系统针为先进设计节点的在线监测和晶圆处置提供关于产品套刻误差的准确反馈。 凭借改进成像测量技术和弹性的工艺目标设计,在各种工艺变化影响的同时,Archer 600可为批量制造和先进工艺开发提供稳定可靠的套刻控制。 Archer 600能够对包括多层材料结构和芯片内目标在内的各种套刻目标设计进行测量,针对不同的工艺层、器件类型、设计节点以及图案化技术中增强套刻目标与器件套刻误差之间的相关性信息。

  ATL:基于散射测量的套刻测量系统,可以在生产工艺发生变化的情况下支持 ≤7nm 设计节点的高精度量测。

  Archer 500LCM:基于双重成像和散射的测量模块,可以为2Xnm / 1Xnm设计节点的先进工艺进行高性能和低成本的套刻误差表征。

  Archer 500:基于成像的套刻量测系统,支持2Xnm / 1Xnm设计节点的高级图案化工艺的开发和批量制造。

  基于ATL100™(精确可调谐激光器)散射测量的套刻测量系统可以为≤7nm设计节点的开发和批量制造提供套刻控制。 系统结合了分辨率为1nm的可调谐激光技术与实时Homing™功能以确保在实际生产工艺发生变化时仍然保持高精度的套刻。 ATL100支持包括芯片内和小间距在内的各种散射测量叠加测量目标设计,并且可以针对不同工艺层、器件类型、设计节点以及图案化技术实现精确的套刻误差测量。

  Archer:基于成像的套刻量测系统,可为≤1Xnm设计节点的开发和批量制造提供高精度套刻测量。

  SpectraShape™ 10K维度量测系统可以针对1Xnm及以下的设计节点的集成电路对finFET、垂直堆叠的NAND以及其他复杂功能的关键尺寸(CD)和三维形状进行全面表征和监控。 SpectraShape 10K光学CD和形状测量系统通过采用各种光学技术和专利算法,可以针对从前段的领先晶体管层直至最后的互连层等各种不同的IC工厂的应用中,对关键的器件参数提供反馈(包括临界尺寸,金属栅极凹槽,high-k凹槽,侧壁角度,光阻高度,硬光罩高度,间距偏移等)。

  在线工艺监控,图案化控制,工艺窗口扩展,工艺窗口控制,先进工艺控制(APC),工程分析

  AcuShape™:高级建模软件,可以诠释来自SpectraShape 10K系统的信号,从而加速构建稳定的3D形状模型。

  SpectraShape 9000:光学CD和形状测量系统,可在20nm及以下设计节点上测量IC器件的复杂性能。

  SpectraShape 8810/8660:光学CD测量和形状测量系统,可以针对32纳米及以下设计节点的IC器件进行关键结构参数的工艺监控。

  SpectraFilm™ F1薄膜测量系统可以为各种薄膜层提供高精度薄膜测量,从而在7nm一下的逻辑和领先内存设计节点上协助实现严格的工艺允许误差。高亮度光源驱动光谱椭偏仪技术,信号足以精确测量带隙并且可以比电子测试提早数周了解电性能。新的FoG™(光栅上的薄膜)算法可以在类似器件的光栅结构上实现薄膜测量,从而进一步提高测量值与器件的相关性。随着产量的提高,SpectraFilm F1能够支持产率提升,并且测量更多与先进设备制造技术相关的薄膜层。

  SpectraFilm LD10:SpectraFilm LD10薄膜量测系统可为16nm及以下的设计节点的各种薄膜层提供可靠的、高精度的薄膜及厚膜厚度、折射率和应力测量。

  Aleris®薄膜量测系统可为32nm节点及以下节点提供可靠的、精确的薄膜厚度、折射率、应力以及成分测量。 利用宽带光谱椭偏仪(BBSE)技术,Aleris薄膜测量系统提供全面的薄膜厚度测量和量测解决方案,帮助晶圆厂对各种薄膜层进行鉴定和监控。

  Aleris 8330薄膜量测系统是一种低成本的解决方案,用于包括金属间电介质、光阻、底部抗反射涂层、厚氧化物和氮化物以及后段层等非关键薄膜层。

  Aleris 8350是一种高性能薄膜量测系统,可以满足关键薄膜层对厚度、折射率和应力测量所需的更严格的工艺差异。 Aleris 8350薄膜厚度测量系统针对各种关键薄膜提供先进薄膜开发、表征和工艺控制,其中包括超薄扩散层、超薄栅极氧化物、先进光阻、193nm ARC层、超薄多层 堆叠以及CVD层等。

  Aleris 8510将Aleris系列的薄膜厚度、成分和应力测量功能扩展到先进的High-k金属栅极(HKMG)和超薄去耦等离子体氮化(DPN)工艺层。 Aleris 8510薄膜厚度测量系统采用增强型150nm宽带光谱椭偏仪技术,针对DPN层和所有HKMG层- 从栅极到多晶硅,包括Hf和N剂量和薄膜厚度测量为工程师提供技术开发和在线监控所需的薄膜量测数据。

  PWG™图案化晶圆几何形貌量测平台为IC制造商提供全面的关于晶圆平坦度,双面纳米级形貌和高分辨率边缘碾轧数据。用于高级3D NAND,DRAM和逻辑产品制造商的PWG3™图案化晶圆几何形貌量测系统是一种单工具解决方案,用于测量应力引起的晶圆形变,晶圆形变引入的图形套刻误差,晶圆厚度变化以及晶圆正面和背面形貌。其数据用于制程的在线监控,套刻校正和光刻聚焦控制,从而实现图案化晶圆制程改进和更快的良率提升。

  PWG2™:第二代图案化晶圆几何形貌量测系统,支持对各种存储器和逻辑器件类型的全线制程进行在线监控。

  WaferSight™2+裸晶圆几何形貌量测系统可为晶圆制造商提供抛光和外延硅晶圆,以及工程和其他先进基板的质量认证。通过生产晶圆平坦度,双面纳米级形貌和高分辨率边缘碾轧数据,WaferSight 2+可生成数据,帮助晶圆制造商确保在批量生产中生产出优质的基板。

  Therma-Probe®680xp 离子注入/退火量测系统可对2Xnm / 1Xnm设计节点进行在线剂量监测。 Therma-Probe 680xp可以提供关于离子注入剂量和轮廓、注入和退火均匀性以及范围损坏的关键工艺信息。 此外,Therma-Probe 680xp系统的高分辨率微均匀性图为注入和退火工艺开发提供了指纹识别功能。

  OmniMap®RS-200电阻率测绘系统采用了成熟的工业电阻率测绘标准,可为45nm及以下的测量提供准确可靠的薄层电阻测量。 该电阻率测绘系统提供高级自动化和改良边缘性能等功能,以满足当今300mm晶圆生产要求。

  CIRCL™集群设备包含四个模块可以检测所有晶圆表面并同步采集数据,从而实现高产量和高效率的工艺控制。 最新一代的CIRCL5系统模块包括:晶圆正面缺陷检测; 晶圆边缘缺陷检测;轮廓、量测和检查; 晶圆背面缺陷检测和检查; 以及晶圆正面缺陷的光学检查和分类。 DirectedSampling™可以提供数据采集控制,并创新地利用一项测量结果触发集群设备中其他类型的测量。 CIRCL5的模块化配置可以灵活地满足不同工艺控制的需求,节省整个晶圆厂空间,缩短晶圆排队检测时间,并可以通过经济高效的系统升级来保护晶圆厂的资本投资。

  Surfscan®SP7无图案晶圆检测系统针对领先的逻辑和内存设计节点可以进行以下认证:用于IC制造(包括EUV光刻)的工艺、材料和设备; 用于基片制造的先进基片晶圆(如特级硅、外延和SOI晶圆); 以及用于设备制造的工艺设备性能。 Surfscan SP7采用具备峰值功率控制的DUV激光光源、全新的光学架构、一系列光斑尺寸以及先进的算法,可为裸晶圆、光滑和粗糙的薄膜以及脆弱的光阻和光刻堆栈结构提供灵敏度极高的检测和更好的缺陷分类。 Surfscan SP7也能够作为高分辨率的SURFmonitor™模块进行组合,用于表面质量的表征和细微缺陷的检测,从而协助工艺和设备的认证。

  工艺认证,设备认证,设备监测,出厂晶圆质量控制,进厂晶圆质量控制,EUV光阻和扫描仪认证,工艺调试

  Surfscan SP5XP:无图案晶圆表面检测系统,不仅产量高也具有DUV灵敏度,适用于1Xnm设计节点的IC、基板晶圆和设备制造。

  Surfscan SP5:无图案晶圆表面检测系统,不仅产量高也具有DUV灵敏度,适用于2X / 1Xnm设计节点的IC、基板和设备制造。

  Surfscan SP3:无图案晶圆表面检测系统,不仅产量高也具有DUV灵敏度,适用于2Xnm设计节点的IC、基板和设备制造。

  KLA 提供一系列探针和光学轮廓仪,支持半导体IC、功率器件、LED、光子技术、MEMS、CPV太阳能、HDD以及显示器制造的表面量测测量。 请访问我们的轮廓仪网址了解更多详情。

  台阶高度,粗糙度,平面度,曲率,应力,薄膜厚度,缺陷检查等等......

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